用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度

• 作者: 张声豪 王松柏
• 来源期刊: 福州大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘GaAs 禁带宽度EgΓ 表面光伏
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 144-146
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2243.2003.02.005

摘要

根据所建立的半绝缘(SI)GaAs的禁带宽度EgΓ公式,利用表面光伏(SPV)方法的测量结果,计算了室温下5种样品的EgΓ值,并对其中之一进行了21-300K温度范围的EgΓ计算,确认了SPV方法对研究SI-GaAs禁带宽度的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王松柏	福州大学信息科学与技术学院	7	7	2.0	2.0
2	张声豪	厦门大学物理系	5	16	3.0	4.0