单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

• 作者: 刘训春 李无瑕 李爱珍 杨全魁 王惟林 王润梅 陈俊 陈建新 陈意桥 陈晓杰
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单电源 InGaP/InGaAs LNA
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 高速电子与微波器件
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+3
• 字数: 1771字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.008

摘要

制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.