氧含量对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响

• 作者: 周龙捷 杨金龙 许兴利 谢志鹏 马利国 黄勇
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 氧含量 等电点 分散性
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 87-89
• 页数: 3页
• 分类号: TQ17
• 字数: 1593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2000.03.021

摘要

研究了氧含量对碳化硅微粉的等电点和分散性的影响,同时讨论了SiC粉料在水溶液中的分散机制.结果表明:随着氧含量的升高,碳化硅微粉的等电点从纯碳化硅的等电点趋近于石英(SiO2)的等电点.虽然碳化硅在水溶液中的分散机制类似于SiO2,但过高的氧含量对碳化硅微粉在水溶液中的分散明显不利,氧含量低时,碳化硅粉体的分散性好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨金龙	清华大学材料科学与工程系	68	1092	15.0	31.0
2	黄勇	清华大学材料科学与工程系	173	2711	27.0	42.0
3	谢志鹏	清华大学材料科学与工程系	182	1898	22.0	36.0
4	马利国	清华大学材料科学与工程系	7	60	4.0	7.0
5	周龙捷	清华大学材料科学与工程系	8	125	7.0	8.0
6	许兴利	清华大学材料科学与工程系	7	129	5.0	7.0