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摘要:
本文对各种纯SiC及含有少量杂质的SiC在不同条件下的氧化行为进行了全面系统的概述.对今后SiC氧化行为的研究具有一定的指导意义.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SiC材料氧化行为研究进展
来源期刊 材料科学与工程 学科 工学
关键词 SiC 氧化
年,卷(期) 2000,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 110-113,129
页数 5页 分类号 TB32
字数 2872字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 熊翔 中南工业大学粉末冶金国家重点实验室 6 99 4.0 6.0
2 刘业翔 中南工业大学冶金科学与工程系 8 145 6.0 8.0
3 李小斌 中南工业大学冶金科学与工程系 6 159 4.0 6.0
4 周秋生 中南工业大学冶金科学与工程系 1 30 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
SiC
氧化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程学报
双月刊
1673-2812
33-1307/T
大16开
浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
1983
chi
出版文献量(篇)
4378
总下载数(次)
9
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