SiC材料氧化行为研究进展

• 作者: 刘业翔 周秋生 李小斌 熊翔
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 氧化
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 110-113,129
• 页数: 5页
• 分类号: TB32
• 字数: 2872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.026

摘要

本文对各种纯SiC及含有少量杂质的SiC在不同条件下的氧化行为进行了全面系统的概述.对今后SiC氧化行为的研究具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊翔	中南工业大学粉末冶金国家重点实验室	6	99	4.0	6.0
2	刘业翔	中南工业大学冶金科学与工程系	8	145	6.0	8.0
3	李小斌	中南工业大学冶金科学与工程系	6	159	4.0	6.0
4	周秋生	中南工业大学冶金科学与工程系	1	30	1.0	1.0