NPT型IGBT的技术特点

• 作者: 王晓宝
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体元器件/穿通型 非穿通型 开关损耗
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 2289字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2000.06.018

摘要

论述了NPT型IGBT的结构、工艺和特性.与PT型IGBT相比,NPT型IGBT开关损耗下降了20%,其安全工作区(SOA)和短路承受能力得以改善,可靠性亦相应提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓宝		3	31	3.0	3.0