CVD淀积SIC薄膜SIH_4、CH_4的分解反应的计算机模拟研究

• 来源期刊: 计算机与现代化
• 学科: 工学
• 关键词: 数值模拟 化学气相淀积 分解反应 SIC薄膜
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 21-25,40
• 页数: 6页
• 分类号: TP391.9
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中是主要因素.