SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术

• 作者: 多新中 黄继颇
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上的硅 低功耗 集成电路
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: TN4

摘要

近来，ＩＢＭ公司利用绝缘层上的硅（ＳＯＩ）技术成功研制出高速低功耗的微电子主流产品微处理器等离性能芯片，该芯片不仅工作速度显著提高，功耗也大幅度下降，充分显现了ＳＯＩ技术的优越性。这也预示着ＳＯＩ技术将逐步走向商业应用。ＳＯＩ技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本文介绍了市场绎低压、降低耗电路的需求，分析了ＳＯＩ技术实现低压、低耗电路的工作原理，综述了当前ＳＯＩ低压，低功耗电路的新动向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	多新中	中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室	7	20	2.0	4.0
2	黄继颇		1	0	0.0	0.0