钼离子注入硅薄层硅化钼的合成

• 作者: 吴瑜光 张通和
• 来源期刊: 核技术
• 关键词: 钼离子注入 注入硅 硅化物合成 快速退火 大束流密度
• 年，卷（期）: 2000,（9）
• 页码范围: 599-603
• 页数: 5页
• 字数: 2637字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.09.002

摘要

用大束流密度的钼金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物.随着束流密度的增加,硅化钼生长,薄层硅化物的方块电阻Rs明显下降,当束流密度为0.5A/m2时,Rs达到最小值90Ω,说明连续的硅化物已经形成.X衍射分析结果表明,注入层中形成了3种硅化钼Mo3Si、Mo5Si3和MoSi2.经过900℃退火后,Rs下降至4Ω,电阻率可小到0.16 μΩ@m,说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善.大束流密度注入和退火后,硅化钼优先生长有所不同.透射电子显微镜的观察表明,连续硅化钼薄层厚度为80nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴瑜光	北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束材料工程开放实验室	16	87	5.0	8.0
2	张通和	北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束材料工程开放实验室	49	1052	11.0	32.0