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摘要:
采用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273 K温度下进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接,考察了保温时间对连接强度的影响,并对连接界面进行了SEM,EPMA和XRD分析.结果表明,通过Cu-Ti二元扩散促使液相与氮化硅发生界面反应,形成Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4+TiSi2/TiSi2+Cu3Ti2(Si)/Cu的梯度层.保温时间影响接头反应层厚度,从而影响接头的连接强度根据活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的界面行为,建立了活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的理论模型.该模型较好地解释了Ti/Cu/Ti和Ti/Ni/Ti连接氮化硅陶瓷的异同点和连接工艺参数的选择.
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文献信息
篇名 活性金属部分瞬间液相连接氮化硅陶瓷的研究
来源期刊 金属学报 学科 工学
关键词 活性金属 部分瞬间液相连接 氮化硅 连接强度 界面反应
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 171-176
页数 6页 分类号 TG454|TG113.26
字数 4288字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0412-1961.2000.02.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李志章 浙江大学材料系 26 401 11.0 19.0
2 周飞 江苏理工大学材料系 6 98 3.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
活性金属
部分瞬间液相连接
氮化硅
连接强度
界面反应
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
金属学报
月刊
0412-1961
21-1139/TG
大16开
沈阳文化路72号
2-361
1956
chi
出版文献量(篇)
4859
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