锡薄膜等温氧化研究

• 作者: 吴广明 汤学峰 沈军 王珏 陈玲燕 顾牡
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1015-1018
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.05.037

摘要

采用电子束蒸发制备金属锡薄膜,将其在250-400℃温度范围内进行等温氧化,研究锡薄膜的热氧化动力学机制.采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变.实验结果表明,在250-400℃温度范围内,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长;转变活化能为0.34eV;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制.研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始,随着氧化的深入,SnO相分解形成Sn3O4相,最后转变为SnO2相的热氧化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾牡	同济大学波耳固体物理研究所	76	433	13.0	16.0
2	沈军	同济大学波耳固体物理研究所	199	2285	26.0	36.0
3	王珏	同济大学波耳固体物理研究所	79	1255	22.0	32.0
4	陈玲燕	同济大学波耳固体物理研究所	60	522	13.0	19.0
5	吴广明	同济大学波耳固体物理研究所	118	1607	22.0	32.0
6	汤学峰	同济大学波耳固体物理研究所	7	47	3.0	6.0