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摘要:
介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Si片的定向自截止腐蚀,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Si平面薄膜的工艺.通过台阶仪测量厚度在3~4μm的Si平面薄膜,在扫描范围为1000μm时,它的表面粗糙度为几十纳米;SEM测量表明,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级;探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低Si膜表面粗糙度的方法.
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文献信息
篇名 驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜
来源期刊 强激光与粒子束 学科 物理学
关键词 Si平面薄膜 瑞利-泰勒不稳定性 ICF分解实验 驱动光束不均匀
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目 ICF与激光等离子体
研究方向 页码范围 181-184
页数 4页 分类号 O484.5
字数 2959字 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
Si平面薄膜
瑞利-泰勒不稳定性
ICF分解实验
驱动光束不均匀
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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