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摘要:
通过对p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算,分析了同一样品处于不同氛围中,以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律,探讨了出现这一规律的内在机理,解释了各有关的物理现象.
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文献信息
篇名 半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 半导体表面 气体分子 吸附机理 光伏方法
年,卷(期) 2000,(12) 所属期刊栏目 凝聚物质:结构、热学和力学性质
研究方向 页码范围 2448-2454
页数 7页 分类号 O4
字数 5691字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.12.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 颜永美 厦门大学物理系 5 9 2.0 3.0
2 孙宜阳 厦门大学物理系 2 0 0.0 0.0
3 丁小勇 厦门大学物理系 3 0 0.0 0.0
4 陈议明 厦门大学物理系 3 9 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
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2000(0)
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研究主题发展历程
节点文献
半导体表面
气体分子
吸附机理
光伏方法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
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35
总被引数(次)
174683
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