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量子器件前程无量
量子器件前程无量
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摘要：
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
量子结构
激子效应
量子尺寸效应
壳层厚度对于量子点/聚合物复合电子存储器件性能的影响
有机/无机复合器件
电双稳态
PVK
量子点
CuInS2/ZnS核/壳量子点的制备及其光致发光器件
CuInS2量子点
ZnS壳层
高温热分解法
发光二极管
德国刑事诉讼审前程序评析
德国
大陆法系
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期刊影响力
电子产品世界
主办单位：
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
美国国际数据集团(IDG)
出版周期：
月刊
ISSN：
1005-5517
CN：
11-3374/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市复兴路15号138室
邮发代号：
82-552
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
11765
总下载数（次）
14
总被引数（次）
19602
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