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集成光电子学
半导体光学放大器
电子器件
会议录
皮秒光脉冲
相位共轭
光探测器
量子点结构
离子特性
结构生成
摘要:
【正】 SPIE-Vol.3551 00198971998年 SPIE 会议录,卷3551:集成光电子学,2=1998proceedings of SPIE.Vol.3551:Integrated optoelec-tronicsⅡ[会,英]/SPIE-the International Society forOptical Engineering.-1998.-206P.(EC)本会议录收集了于1998年9月18~19日在北京召开的集成光电子学会议上发表的37篇论文,内容涉及 InP 的离子特性,退火 InP 缺陷形成 GaP/Si 异质结构生成,GaAs OMIST 光探测器制备,半导体光学放大器皮秒光脉冲相位共轭,Si/SiGe 自汇集量子点结构的
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电子科技文摘
主办单位:
信息产业部电子科学技术情报研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1009-0851
CN:
11-4388/TN
开本:
16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1999
语种:
chi
出版文献量(篇)
10413
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