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摘要:
【正】 SPIE-Vol.3551 00198971998年 SPIE 会议录,卷3551:集成光电子学,2=1998proceedings of SPIE.Vol.3551:Integrated optoelec-tronicsⅡ[会,英]/SPIE-the International Society forOptical Engineering.-1998.-206P.(EC)本会议录收集了于1998年9月18~19日在北京召开的集成光电子学会议上发表的37篇论文,内容涉及 InP 的离子特性,退火 InP 缺陷形成 GaP/Si 异质结构生成,GaAs OMIST 光探测器制备,半导体光学放大器皮秒光脉冲相位共轭,Si/SiGe 自汇集量子点结构的
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GaN器件
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文献信息
篇名 电子器件
来源期刊 电子科技文摘 学科 工学
关键词 集成光电子学 半导体光学放大器 电子器件 会议录 皮秒光脉冲 相位共轭 光探测器 量子点结构 离子特性 结构生成
年,卷(期) 2000,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 15-15
页数 1页 分类号 TN
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半导体光学放大器
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相位共轭
光探测器
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期刊影响力
电子科技文摘
月刊
1009-0851
11-4388/TN
16开
1999
chi
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10413
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71
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