p+-n--n结的势垒分布

• 作者: 李桂英 杨锡震 王亚非 赵普琴
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷化镓 发光二极管 势垒
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.010

摘要

GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体n--n结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n-区内的电位降，计算了商用发光二极管p+-n--n结构的势垒分布，为整体结构的参数优化准备了必要的条件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨锡震	北京师范大学分析测试中心	16	102	4.0	9.0
2	李桂英		10	211	9.0	10.0
3	赵普琴	北京师范大学分析测试中心	1	2	1.0	1.0
4	王亚非		1	2	1.0	1.0