金属／n型半导体(Au/n—GaN)肖特基势垒的研究

• 作者: 李朝友 杨海 蔡武德 许梅
• 来源期刊: 云南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 肖特基势垒 理想因子 受主态
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 物理科学
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: O48
• 字数: 1595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9793.2001.03.004

摘要

材料Au/nGaN在600℃温度淬火后，利用电流－电压测量、XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒。电流－电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为1.24eV、1.03，理想因子为1.12的势垒最大高度为1.35eV。XPS数据表明：600℃温度的淬火导致能带向上弯曲0.35eV，随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲0.25eV。我们的结论可以用Cowley－Sze模型来解释，结论表明：在GaN表面有受主态密度

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡武德	云南师范大学物理系	39	75	5.0	7.0
2	杨海	云南师范大学物理系	20	23	4.0	4.0
3	许梅	北京大学电子系	2	0	0.0	0.0
4	李朝友	云南师范大学物理系	1	0	0.0	0.0