高速芯片封装结构的同步开关噪声分析及抑制

• 作者: 李征帆 杨晓平
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高速集成电路 先进封装工艺 同步开关噪声 IBIS模型 抑制措施
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 852-854，858
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97|TN454
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2001.06.013

摘要

基于BIS模型，提出了一种新颖、简单地估算高速芯片封装结构同步开关噪声(SSN)的方法.通过与电路模拟方法的比较，表明了该方法的有效性.基于对多种抑制封装结构SSN措施的分析与讨论，给出了低SSN的高速封装结构设计原则.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李征帆	上海交通大学电子工程系	83	533	13.0	18.0
2	杨晓平	上海交通大学电子工程系	7	53	4.0	7.0