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摘要:
分析了氟化镁单晶体与多晶体成膜过程的行为,得出了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论。给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件:350℃退火 2 h。
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文献信息
篇名 氟化镁单晶体与多晶体成膜后薄膜耐磨性分析
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 氟化镁 薄膜 耐磨性
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 78-80
页数 3页 分类号 TG174.444
字数 2039字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2001.01.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙平 北京师范大学物理系 15 73 5.0 8.0
2 王武育 8 39 4.0 6.0
3 代桂君 1 5 1.0 1.0
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氟化镁
薄膜
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北京新街口外大街2号
82-167
1977
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