压力下半导体GaAs的电子表面态

• 作者: 梁希侠 班士良 闫祖威
• 来源期刊: 内蒙古大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 压力 电子表面态 半导体
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 621-624
• 页数: 4页
• 分类号: O481.1
• 字数: 2484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1638.2001.06.006

摘要

使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响.数值结果表明,随压力增加电子表面态能级明显向上移动,且电子趋近表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学理工学院物理系	58	198	8.0	9.0
2	闫祖威	内蒙古大学理工学院物理系	13	28	3.0	4.0
3	梁希侠	内蒙古大学理工学院物理系	31	64	5.0	6.0