NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用

• 作者: 宗志园 富容国 常本康 钱芸生
• 来源期刊: 南京理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电阴极 电子 几率 偶极子
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 641-644，669
• 页数: 5页
• 分类号: O43|O462.3|O472.8
• 字数: 2662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9830.2002.06.019

摘要

该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法,选用双偶极层表面模型,计算了GaAs:Cs-O NEA光电阴极的电子表面逸出几率,比较了2种双偶极层模型的异同点,计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大,并粗略推测了该偶极层的厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱芸生	南京理工大学电子工程与光电技术学院	86	807	13.0	24.0
2	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
3	宗志园	南京理工大学电子工程与光电技术学院	20	154	9.0	11.0
4	富容国	南京理工大学电子工程与光电技术学院	27	227	8.0	14.0