金-锗系统欧姆接触制备研究

• 作者: 于信明 张红欣 杨梦丽
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 工学
• 关键词: MESFET PHEMT 欧姆接触 合金条件
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 32-34,44
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.93
• 字数: 1937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.04.007

摘要

对于GaAs MESFET和以GaAs或InP为衬底的PHEMT的欧姆接触制备,虽均采用Au-Ge-Ni系统,但其合金条件却因材料特性各异而不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨梦丽		1	7	1.0	1.0
2	张红欣		1	7	1.0	1.0
3	于信明		1	7	1.0	1.0