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摘要:
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型,并采用相对误差来构建目标函数.以场效应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值,通过优化求得了热场效应晶体管状态的本征元件值.该方法具有收敛快,精度高和效率高的优点,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中.
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文献信息
篇名 功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解
来源期刊 西安电子科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 目标函数 等效电路 金属肖特基势垒场效应晶体管 模型参数
年,卷(期) 2001,(4) 所属期刊栏目 学术论文和技术报告
研究方向 页码范围 462-466
页数 5页 分类号 TN702
字数 2731字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.04.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘佑宝 56 248 9.0 13.0
2 吴龙胜 50 120 6.0 8.0
传播情况
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引文网络
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
目标函数
等效电路
金属肖特基势垒场效应晶体管
模型参数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-2400
61-1076/TN
西安市太白南路2号349信箱
chi
出版文献量(篇)
4652
总下载数(次)
5
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38780
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