高能氩离子辐照SiO2玻璃的正电子寿命谱学研究

• 作者: 侯明东 刘昌龙 孙友梅 孟庆华 张崇宏 朱智勇 李长林 王志光 金运范 陈克勤 鲁光军
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化硅玻璃 氩离子辐照 正电子寿命 微观结构
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 439-444
• 页数: 6页
• 分类号: O483
• 字数: 3593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2001.06.002

摘要

用1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照，并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明，在未辐照二氧化硅玻璃中有近81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的；根据o-Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0.02—0.13nm3的区域里，平均自由体积半径约为2.5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄，峰位下移，显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大，第二正电子寿命成分的强度逐渐增加，而相应于o-Ps的寿命成分的强度逐渐减小，这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游，使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大，从而减小了正电子素的形成几率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金运范	中国科学院近代物理研究所	38	183	9.0	12.0
2	孙友梅	中国科学院近代物理研究所	31	115	7.0	9.0
3	朱智勇	中国科学院近代物理研究所	39	194	9.0	11.0
4	王志光	中国科学院近代物理研究所	39	183	8.0	11.0
5	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
6	侯明东	中国科学院近代物理研究所	41	177	7.0	12.0
7	刘昌龙	中国科学院近代物理研究所	12	44	3.0	6.0
8	李长林	中国科学院近代物理研究所	6	24	2.0	4.0
9	孟庆华	中国科学院近代物理研究所	32	923	11.0	30.0
10	陈克勤	中国科学院近代物理研究所	3	41	2.0	3.0
11	鲁光军		8	21	2.0	4.0