硅体费米势在(300～600K)宽温区温度特性的研究

• 作者: 冯耀兰 宋安飞 杨国勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 体费米势 温度特性 模型
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 314-317
• 页数: 4页
• 分类号: TN301
• 字数: 1505字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2001.04.009

摘要

本文首先简要分析了 MOSFET阈值电压随温度的变化率,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素--体费米势的温度特性,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型,并进行了模拟验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨国勇	东南大学微电子中心	4	6	2.0	2.0
2	宋安飞	东南大学微电子中心	9	26	3.0	4.0
3	冯耀兰	东南大学微电子中心	11	26	3.0	4.0