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关于N型晶体硅费米能级的研究
关于N型晶体硅费米能级的研究
作者:
严金梅
杨伟强
王惠
魏红军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
费米能级
N型半导体硅
电中性条件
数值计算
摘要:
采用数值方法计算了掺杂浓度为1016 cm-3的N型晶体硅费米能级随温度(0 ~ 800 K)的变化曲线,并讨论了禁带宽度随温度变化时对费米能级的影响.计算结果显示,在温度0 K<T<100K的低温弱电离区间,费米能级随温度的升高而逐渐增大;温度约为100 K时,最大费米能级位于导带底以下0.059 eV处;温度在100 K<T<700 K范围内几乎呈线性下降;温度大于700K时,费米能级逐渐趋于平缓,接近本征半导体硅的费米能级.这些结论与实验吻合.
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关于N型晶体硅费米能级的研究
来源期刊
太阳能
学科
关键词
费米能级
N型半导体硅
电中性条件
数值计算
年,卷(期)
2015,(9)
所属期刊栏目
技术产品与工程
研究方向
页码范围
43-45
页数
3页
分类号
字数
1784字
语种
中文
DOI
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严金梅
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研究来源
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研究去脉
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太阳能
主办单位:
中国可再生能源学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-0417
CN:
11-1660/TK
开本:
16开
出版地:
北京市海淀区花园路3号
邮发代号:
2-164
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
5613
总下载数(次)
10
总被引数(次)
15507
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