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摘要:
采用数值方法计算了掺杂浓度为1016 cm-3的N型晶体硅费米能级随温度(0 ~ 800 K)的变化曲线,并讨论了禁带宽度随温度变化时对费米能级的影响.计算结果显示,在温度0 K<T<100K的低温弱电离区间,费米能级随温度的升高而逐渐增大;温度约为100 K时,最大费米能级位于导带底以下0.059 eV处;温度在100 K<T<700 K范围内几乎呈线性下降;温度大于700K时,费米能级逐渐趋于平缓,接近本征半导体硅的费米能级.这些结论与实验吻合.
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多晶硅
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制备方法
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 关于N型晶体硅费米能级的研究
来源期刊 太阳能 学科
关键词 费米能级 N型半导体硅 电中性条件 数值计算
年,卷(期) 2015,(9) 所属期刊栏目 技术产品与工程
研究方向 页码范围 43-45
页数 3页 分类号
字数 1784字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 严金梅 10 8 2.0 2.0
2 魏红军 5 3 1.0 1.0
3 杨伟强 4 3 1.0 1.0
4 王惠 4 0 0.0 0.0
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电中性条件
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太阳能
月刊
1003-0417
11-1660/TK
16开
北京市海淀区花园路3号
2-164
1980
chi
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