Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

• 作者: 李书平 王仁智
• 来源期刊: 厦门大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Schottky势垒 电中性能级 平均键能 费米能级
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 586-590
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 4040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2003.05.012

摘要

基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半导体物理中所指的"本征费米能级Ei ".n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是"钉扎"于本征半导体基态费米能级ESF,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李书平	厦门大学物理学系	23	51	3.0	5.0
2	王仁智	厦门大学物理学系	14	35	3.0	5.0