金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能

• 作者: 李书平 王仁智
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-半导体超晶格 金属-半导体接触势垒 半导体平均键能 金属费米能级
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 834-839
• 页数: 6页
• 分类号: TN365
• 字数: 5821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.014

摘要

为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用"冻结势"方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互"对齐".因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.