终端带单一场环的P+N结击电压分析

• 作者: 张颖 石广元 赵野 高嵩
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: P+N结 场保护环 击穿电压 主结-环间距 柱面结
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 148-150
• 页数: 5页
• 分类号: TN31
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2001.02.011

摘要

利用了平面结击穿电压的归一化表达式，研究了终端带单一场环的P+N结击穿电压特性，通过解峰值电场方程，给出了确定主结与单浮场环最佳间距的简便方法，得到了在未穿通情况下，具有单场保护环平面结终端优化设计的理论公式 .

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高嵩	辽宁大学物理系	16	117	6.0	10.0
2	张颖	辽宁大学物理系	18	52	4.0	6.0
3	赵野	辽宁大学物理系	2	10	2.0	2.0
4	石广元	辽宁大学物理系	4	12	2.0	3.0