高介、低损耗Ba（Ti，Zr）O3基电容器陶瓷的研究

• 作者: 侍克虎 江晓霞 牛宾 黄新友
• 来源期刊: 江苏理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 陶瓷电容器 铁电 正交设计 BaTiO3 BaZrO3
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3657字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7775.2001.01.017

摘要

采用正交设计实验法研究了配方对Ba（Ti，Zr）O3（BTZ）基电容器陶瓷介电性能的影响，得到了影响BTZ基陶瓷介电性能的主次因素，各因素水平影响其性能的趋势.对介电常数而言，主次影响因素的顺序为Nb2O5、BaZrO3/BaTiO3、ZnO、CeO2；对介质损耗而言，主次影响因素的顺序为Nb2O5、ZnO、CeO2、BaZrO3/BaTiO3.同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方.通过正交设计实验得到了综合性能最佳的BTZ基陶瓷，它具有高介（ε）≥13　200低损耗（tanδ）<60×10-4和高耐压（大于5　MV/m）.探讨了各组分对BTZ基陶瓷介电性能影响机理，为研制高介、低损耗、高耐压电容器陶瓷提供依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄新友	江苏理工大学材料科学与工程学院	7	129	4.0	7.0
2	牛宾	江苏理工大学材料科学与工程学院	1	36	1.0	1.0
3	江晓霞	江苏理工大学材料科学与工程学院	1	36	1.0	1.0
4	侍克虎	江苏理工大学材料科学与工程学院	1	36	1.0	1.0