SiC薄膜高温压力传感器

• 作者: 刘秀娥 朱作云 李跃进 杨银堂 柴常春 王文襄 王麦广 贾护军 韩小亮
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 压力传感器 高温 碳化硅 薄膜
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TQ127.1+2|TP212
• 字数: 2593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2001.02.001

摘要

SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长3C-SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器，并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子研究所	25	131	7.0	10.0
3	朱作云	西安电子科技大学微电子研究所	13	98	6.0	9.0
4	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0
5	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0
6	韩小亮	西安电子科技大学微电子研究所	2	39	1.0	2.0
7	王文襄		2	56	2.0	2.0
8	刘秀娥		1	39	1.0	1.0
9	王麦广		1	39	1.0	1.0