SmCo(Al,Si)/Cr硬磁薄膜的结构与性能

• 作者: 李佐宜 林更琪 王翔 蔡长波
• 来源期刊: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 硬磁薄膜 矫顽力 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2001.02.008

摘要

在优化后的磁控溅射和退火条件下，制备SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜.实验结果表明，Sm摩尔分数为31.6 ％，Cr缓冲层为66 nm，Sm(Co,Al,Si)5磁性层为30 nm时，制得的Sm(Co,Al,Si)5/Cr薄膜的矫顽力Hc为187.8 kA/m，剩磁比S=Mr/Ms≈0.94; 在500 ℃ 保温25 min退火后，矫顽力Hc达1?042.5 kA/m，剩磁比S≈0.92,从而制成了较理想的硬磁薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡长波	华中科技大学电子科学与技术系	7	19	2.0	4.0
2	王翔	华中科技大学电子科学与技术系	37	117	6.0	9.0
3	林更琪	华中科技大学电子科学与技术系	26	85	4.0	7.0
4	李佐宜	华中科技大学电子科学与技术系	59	267	7.0	13.0