互连、布线、隔离与装架工艺

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 装架工艺 微电子技术 有源区 互连 反向漏电流 高能 布线 注入 薄层 缺陷带
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 30-30
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 高能 Ar~+注入对 P~+薄层特性的影响[刊]/周继承//微电子技术.—2000,28(5).—45～48(E)研究了高能 Ar~+注入对 P~+薄层特性的影响。结果表明,正面高能 Ar~+注入能在有源区下隐埋一层缺陷带,可有效地净化表面有源区。用高能 Ar~+/B~+注入制备出了反向漏电流仅1.9nA/cm~2(-1.4V)的二极管。参8Y2000-62474-611 0102106先进的0.1μm 互连方案=Advanced interconnectschems towards 0.1μm[会,英]/Moussavi,M.//1999IEEE International Electron Devices Meeting.—611～614(PC)