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摘要:
本文通过分析器件内部电流传输探讨了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻特性产生机理,首次提出了PDUBAT负阻形成的原因是其输出管横向输出电流的反馈作用,这一看法得到了实验验证.
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文献信息
篇名 光电双基区晶体管(PDUBAT)物理模型探讨
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 光电双基区晶体管 间接耦合光电探测器
年,卷(期) 2001,(8) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 1123-1125
页数 3页 分类号 TN364
字数 1594字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 毛陆虹 天津大学电子信息工程学院 165 736 12.0 20.0
2 张世林 天津大学电子信息工程学院 109 334 8.0 11.0
3 郭维廉 天津大学电子信息工程学院 145 419 10.0 12.0
4 李树荣 天津大学电子信息工程学院 38 187 9.0 11.0
5 郑云光 天津大学电子信息工程学院 28 73 6.0 6.0
6 沙亚男 天津大学电子信息工程学院 6 13 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
光电双基区晶体管
间接耦合光电探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
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