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摘要:
本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.
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文献信息
篇名 光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 光电双基区晶体管 反馈电流 瞬态电流
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 790-792
页数 3页 分类号 TN405
字数 2603字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.05.039
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张生才 天津大学电子信息工程学院 41 316 11.0 15.0
2 张世林 天津大学电子信息工程学院 109 334 8.0 11.0
3 郭维廉 天津大学电子信息工程学院 145 419 10.0 12.0
4 李树荣 天津大学电子信息工程学院 38 187 9.0 11.0
5 郑云光 天津大学电子信息工程学院 28 73 6.0 6.0
6 胡泽军 天津大学电子信息工程学院 5 6 1.0 1.0
7 郭辉 天津大学电子信息工程学院 18 75 5.0 8.0
8 夏克军 天津大学电子信息工程学院 5 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
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光电双基区晶体管
反馈电流
瞬态电流
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研究来源
研究分支
研究去脉
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月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
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