电子工艺

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体处理 电子工艺 等离子体浸没离子注入 会议录 化学汽相淀积 绝缘体上硅 充电损伤 损伤机理 工艺损伤 测试结构
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 21-22
• 页数: 2页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2001-62781 01148752000年 IEEE 等离子体处理感应损伤会议录=2000IEEE 5th international symposium on plasma process-in-duced damage[会,英]/American Vacuum Society.—IEEE.2000.—172P.(EC)本会议录收集了于2000年5月23～24日在加州Santa Clara 召开的等离子体处理感应损伤会议上发表的46篇论文,内容涉及栅圾氧化物对充电损伤的影响,等离子体损伤机理,绝缘体上硅,化学汽相淀积工艺损伤类型,多层互连中的损伤,300mm 硅片技术,铜与低 k 值,天线测试结构及设计,电介质沉积损伤。