半导体材料

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀速率 技术研究 横向刻蚀 选择性 等离子体 微电子学 气体流量 温度分布 离子对 半导体材料
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 页码范围: 6-6
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 0120345硅的横向刻蚀技术研究[刊]/范忠//微电子学.—2001.31（3）.—195～197,203（K）研究了 SF₆等离子体横向刻蚀硅的速率和对 SiO₂的选择性,主要通过改变 SF₆气体流量和加入 O₂,提高硅的横向刻蚀速率和对 SiO₂选择性。实验发现,加入 O₂能提高 SF₆等离子对 Si 的横向刻蚀速率和 Si/SiO₂的刻蚀速率比。Si 的横向刻蚀速率最高可达0.