神经网络模型在Si/C/N吸收剂介电性能控制中的应用

• 作者: 周万城 焦桓 罗发
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si/C/N纳米吸收剂 介电性能 神经网络 模型
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 852-856
• 页数: 5页
• 分类号: TP18
• 字数: 3418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.035

摘要

研制高温吸波材料是我国隐身技术的一个新领域,本文应用神经网络技术建立了Si/C/N纳米粉体氮含量一介电损耗角正切变化规律的模型,以期能解决粉体成分对粉体介电损耗角正切的影响问题.研究结果表明,所建立的神经网络模型,可以比较准确和全面地反映粉体成分对介电损耗角正切的影响程度及其规律,模型对粉体氮含量与介电损耗角正切之间关系的预测与实验结果相吻合,证实了将人工神经网络模型应用于高温吸收剂的介电损耗角正切控制和吸收剂的优化是有效和可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗发	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	168	1535	19.0	30.0
2	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
3	焦桓	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	15	458	9.0	15.0