界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

• 作者: 何志 张崇才 李卫青 李英爱 殷红 赵永年 顾广瑞
• 来源期刊: 吉林大学学报(理学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米TiO2薄膜 电阻率 界面电子转移
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 页码范围: 273-275
• 页数: 3页
• 分类号: O647.2
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2002.03.009

摘要

研究纳米TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.结果表明,沉积在Ti和Si基底上的TiO2薄膜的电阻率随着膜厚的增加而非线性增大,分别经历了导体、半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程,TiO2薄膜导电层厚度也不相同,沉积在玻璃表面TiO2薄膜为绝缘体.这些现象是界面电子在界面的转移所致,基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾广瑞	吉林大学超硬材料国家重点实验室	26	115	5.0	10.0
3	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0
4	何志	吉林大学超硬材料国家重点实验室	12	86	6.0	9.0
5	李英爱	吉林大学超硬材料国家重点实验室	17	82	6.0	8.0
8	殷红	吉林大学超硬材料国家重点实验室	10	35	4.0	5.0
9	张崇才		5	28	3.0	5.0
10	李卫青	吉林大学超硬材料国家重点实验室	4	32	4.0	4.0