基于重核衰变原理的单电子存储器寿命模型

• 作者: 刘玉贵 吕树海 吕苗 周瑞 张月梅 赵正平 郭荣辉 齐荣巧
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子存储器 存储寿命 衰变
• 年，卷（期）: 2002,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 6-8,18
• 页数: 4页
• 分类号: TP333|TN201
• 字数: 2560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.09.002

摘要

单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件.它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器极有希望的替代品.信息的记忆性能是衡量存储器的一个重要参数,因而对单电子存储器的记忆性能研究有重要的意义.存储器的结构以及温度、电磁辐射等环境因素都对单电子存储器记忆时间产生影响,因而有必要寻求一种模型来综合各种因素对储存器存储寿命的影响.借鉴Gamow、Gurney和Condon处理某些重核α粒子自然衰变的方法对单电子存储器的记忆能力进行研究,考虑到了环境参数和结构参数对记忆性能的影响,给出了一种新的单电子存储器记忆时间模型,并对该模型进行详细的理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0
2	吕苗		13	61	3.0	7.0
3	刘玉贵		8	15	2.0	3.0
4	周瑞		2	13	1.0	2.0
5	郭荣辉		5	9	2.0	2.0
6	吕树海		1	0	0.0	0.0
7	齐荣巧		1	0	0.0	0.0
8	张月梅		1	0	0.0	0.0