InGaAs量子点激光器光增益的温度特性

• 作者: 刘云 宁永强 王立军 高欣
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 光增益 温度特性
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 285-288
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 1779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.04.010

摘要

研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比.发现InGaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性.同时发现随着温度升高,在140～200K温度范围内,InGaAs量子点增益峰值首先增大,当温度超过200K后开始减小.对这种增益特性的产生机制进行了分析.增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动,与量子阱材料相比具有更好的温度稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立军	中国科学院激发态物理开放实验室	131	1339	19.0	31.0
5	宁永强	中国科学院激发态物理开放实验室	49	191	9.0	13.0
9	刘云	中国科学院激发态物理开放实验室	99	706	15.0	23.0
13	高欣	长春光学精密机械学院高功能半导体激光国防重点实验室	15	79	5.0	8.0