N+2注入Si的折射率谱和弛豫时间

• 作者: 刘宏俊 韩宇 高雅君
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 椭圆偏光谱 折射率谱 弛豫时间
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 56-61
• 页数: 6页
• 分类号: O561.3
• 字数: 2530字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2002.01.014

摘要

用TPP-1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50 keV,不同注入剂量的N+2注入Si的折射率谱.计算了单晶硅电极化的弛豫时间,并对上述结果进行了初步地讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩宇	辽宁大学物理系	12	31	2.0	5.0
2	高雅君	辽宁大学物理系	4	6	1.0	2.0
3	刘宏俊	辽宁大学物理系	3	6	1.0	2.0