一种新颖的DC—50GHz低插入相移MMIC可变衰减器

• 作者: 戴永胜 陈党胜
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 集成电路 移动通信 相移 可变衰减器 可靠性
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: TN929.5

摘要

介绍了一种新颖的DC－50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作，获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为：在DC－50GHz频带内，最小衰减≤3.8dB，最大衰减≥35±5dB，最小衰减时输入／输出驻波≤1.5，最大衰减时输入／输出驻波≤2.2，衰减相移比≤1.2°/dB。芯片尺寸为2.33mm×0.68mm×0.1mm。芯片成品率高达80％以上，工作环境温度达125℃，可靠性高，稳定性好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴永胜		17	48	4.0	6.0
2	陈党胜		1	0	0.0	0.0