微结构制备中选择性多孔硅牺牲层技术的研究

• 作者: 刘理天 周俊 王晓红 董良
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 注入 多孔硅 牺牲层
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2760字
• 语种: 中文

摘要

利用多孔硅形成的选择性,在指定的硅衬底区域制作多孔硅作牺牲层.提出了先制作微结构,后进行阳极氧化,形成多孔硅牺牲层的工艺,由此制备出了良好的悬空结构,并对多孔硅形成的选择性、掩模材料和工艺条件进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董良	清华大学微电子学研究所	21	87	5.0	8.0
2	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
3	王晓红	清华大学微电子学研究所	21	159	8.0	11.0
4	周俊	清华大学微电子学研究所	6	41	4.0	6.0