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摘要:
应用Sol-Gel工艺制备了BST薄膜.应用复阻抗谱和模量谱技术研究了BST薄膜的介电响应,实验结果表明:BST薄膜的阻抗谱曲线是一个完整的半圆,且阻抗谱半圆存在压低现象,而与此对应,复阻抗和复模量的频谱曲线只存在一个峰值,表明BST薄膜的介电响应主要起源于样品的晶粒体行为,而晶粒边界以及电极与薄膜界面的贡献可以忽略.交直流电导分析结果表明,BST薄膜的交直流电导激活能分别为93.5 kJ/mol和100.3 kJ/mol,BST薄膜存在这一激活能数值的主要原因是薄膜中氧空位的迁移引起的.
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文献信息
篇名 BST薄膜的复阻抗谱及其电导性能的研究
来源期刊 湖北大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 BST薄膜 阻抗谱 介电响应 激活能
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目 物理学与电子技术
研究方向 页码范围 38-42
页数 5页 分类号 TN304
字数 3504字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-2375.2002.01.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 章天金 湖北大学物理学与电子技术学院 82 321 11.0 14.0
2 徐超 湖北大学物理学与电子技术学院 4 10 2.0 3.0
3 黄卫华 湖北大学物理学与电子技术学院 4 17 3.0 4.0
4 李东 湖北大学物理学与电子技术学院 2 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
BST薄膜
阻抗谱
介电响应
激活能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
湖北大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-2375
42-1212/N
大16开
武汉市武昌区友谊大道368号
38-45
1975
chi
出版文献量(篇)
2481
总下载数(次)
3
总被引数(次)
13467
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