1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础

• 作者: 万长兴 庄奕琪 施超 杜磊 薛丽君 马仲发
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 静电 潜在损伤 无损检测 1/f噪声 逾渗
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 575-579
• 页数: 5页
• 分类号: TN34|TN386.1
• 字数: 4799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.05.003

摘要

分析了MOSFET静电损伤的机理,发现在静电应力期间,随着应力次数的增加,在SiO2体内和Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累.Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷,而且缺陷浓度更大.用逾渗理论模拟了MOSFET中1/f噪声与边界陷阱浓度的关系,得出了与实验相一致的定性结果,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流1/f噪声检测方法提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学微电子研究所	99	486	13.0	18.0
3	万长兴	西安电子科技大学微电子研究所	3	11	1.0	3.0
4	马仲发	西安电子科技大学微电子研究所	6	56	4.0	6.0
5	薛丽君	西安电子科技大学微电子研究所	7	27	4.0	5.0
6	施超	西安电子科技大学微电子研究所	2	19	1.0	2.0