MOS器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法

• 作者: 庄奕琪 杜磊 花永鲜
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 静电 1/f噪声 MOS器件
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 621-624
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2817字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.05.017

摘要

通过对MOS器件的静电应力试验以及监测试验过程中电参数和 1/f 噪声的变化,发现 1/f 噪声对于由静电应力引起的潜在损伤要比电参数的变化敏感得多.在同样的静电应力条件下,1/f 噪声的相对变化量比跨导的相对退化量大6倍以上.分析表明,起源于边界陷阱的 1/f 噪声对于静电诱发的氧化层电荷和界面陷阱两类缺陷同时敏感,而电参数的变化主要取决于其中一类缺陷.因此,1/f 噪声的测试可以作为一种经济、有效、完全非破坏性的工具,检测静电引起的MOS器件潜在损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子所	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学微电子所	99	486	13.0	18.0
3	花永鲜	西安电子科技大学微电子所	2	15	1.0	2.0