一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法

• 作者: 吴勇 庄奕琪 杜磊 花永鲜 马仲发
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET ESD 潜在损伤 1/f噪声 检测方法
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1211-1216
• 页数: 6页
• 分类号: TN34|TN386.1
• 字数: 2988字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.017

摘要

MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件下,1/f噪声的变化要比常规电参数敏感的多,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大6倍以上,因此可以作为 MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法.在给出实验结果的同时,对这一敏感性的机理进行了较深入的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学微电子研究所	99	486	13.0	18.0
3	马仲发	西安电子科技大学微电子研究所	6	56	4.0	6.0
4	吴勇	西安电子科技大学微电子研究所	11	64	5.0	8.0
5	花永鲜	西安电子科技大学微电子研究所	2	15	1.0	2.0