碳化硅发热元件失效分析

• 作者: 吕振林 李世斌 李贺军 金志浩 高积强
• 来源期刊: 机械工程材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 发热元件 失效分析
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 失效分析
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 1551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3738.2002.06.012

摘要

对国产炉用碳化硅发热元件在1 600℃空气中的高温失效行为进行了研究.结果表明:在900℃以下随温度升高,碳化硅发热元件电阻缓慢减小,超过900℃后随温度升高电阻增加较快;1 600℃时随保温时间的增加,碳化硅发热元件的电阻缓慢增加,250min后,电阻急剧增加,直至发热元件断裂.失效表面分析表明,碳化硅发热元件表面以生成气相产物为主,断口处以生成玻璃相为主.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军	西北工业大学材料科学与工程学院	351	3778	28.0	39.0
2	高积强	西安交通大学材料科学与工程学院	69	664	17.0	20.0
3	金志浩	西安交通大学材料科学与工程学院	325	5024	34.0	51.0
4	吕振林	西北工业大学材料科学与工程学院	120	930	16.0	21.0
8	李世斌	西安交通大学材料科学与工程学院	12	100	5.0	9.0