CVI法快速制备C/SiC复合材料

• 作者: 徐永东 肖鹏 黄伯云
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳/碳化硅 化学气相浸渗 沉积速率 有效利用率 复合材料
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 240-243
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2002.02.021

摘要

为缩短CVI法制备C/SiC复合材料的工艺周期并降低成本, 研究了CVI工艺过程中沉积温度、MTS(CH3SiCl3)摩尔分数和气体流量对SiC沉积速率和MTS有效利用率的影响. 实验结果表明:提高沉积温度, 常压下1 100 ℃时增大MTS摩尔分数 (11%→19%), 都有利于提高SiC沉积速率;提高沉积温度和降低反应物气体流量, 能提高MTS有效利用率. 在优化的工艺条件下, 预制体的微观孔隙内沉积了致密的SiC基体, 沉积速率达到142 μm/h左右, 并有效消除了基体中裂纹的形成. MTS的有效利用率为11%～27%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄伯云	中南大学粉末冶金国家重点实验室	607	8891	43.0	60.0
2	徐永东	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	131	1982	23.0	37.0
3	肖鹏	中南大学粉末冶金国家重点实验室	157	1541	19.0	30.0