热处理对单壁碳纳米管场发射的影响

• 作者: 侯士敏 刘惟敏 张兆祥 张浩 张耿民 施祖进 薛增泉 赵兴钰 顾镇南
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单壁碳纳米管 场发射 场发射显微镜 四极质谱
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 20-23,36
• 页数: 5页
• 分类号: TB39|O462.4
• 字数: 1612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.01.005

摘要

将单壁碳纳米管组装于W针尖,对它进行热处理,得到单壁碳纳米管在不同温度去气时的残气质谱图和热处理后的场发射特性曲线.通过对不同温度去气后的I-U特性曲线的Fowler-Nordheim直线斜率的变化,结合残气质谱图的分析,研究热处理对单壁碳纳米管场发射特性的影响,并对其机理进行了初步讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张耿民	北京大学电子学系	26	189	8.0	13.0
2	张兆祥	北京大学电子学系	26	156	7.0	11.0
3	薛增泉	北京大学电子学系	66	466	11.0	19.0
4	刘惟敏	北京大学电子学系	40	283	8.0	15.0
5	施祖进	北京大学化学与分子工程学院	27	590	8.0	24.0
6	张浩	北京大学电子学系	40	197	9.0	12.0
7	赵兴钰	北京大学电子学系	28	187	7.0	13.0
8	侯士敏	北京大学电子学系	42	265	8.0	15.0
9	顾镇南	北京大学化学与分子工程学院	47	888	11.0	29.0